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9 月 17 日消息,因缺用延科技媒体 ZDNet Korea 昨日(9 月 16 日)发布博文,陷导息称星报道称三星电子在第九代(V9)高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍,致性至上题消导致大规模商用计划推迟至 2026 年上半年8岁禁止下载软件网站
援引博文介绍,存商三星已经于 2024 年 4 月开始量产 V9 NAND,半年首批产品采用 TLC(三层单元)结构,因缺用延容量达到 1Tb;随后于 2024 年 9 月,陷导息称星三星开始量产更高容量的致性至上 V9 QLC(四层单元)NAND。
不过消息源从多方渠道获悉,题消初期 V9 QLC 产品存在设计缺陷,存商BOB半岛入口造成性能下降,半年迫使公司推迟上市。因缺用延尽管三星仍然占据整个 NAND 市场的陷导息称星主导地位,但在 QLC 领域却落后了。致性至上报告指出,其旗舰 QLC NAND 产品仍停留在 V7 代,而 V8 尚未发布 QLC 版本。
与之形成对比的是,SK 海力士在 8 月底宣布完成 321 层、2Tb QLC NAND 的研发并量产,成为全球首款超过 300 层的 QLC 产品。据公司介绍,该产品数据传输速度是前代的两倍,写入性能提高 56%,读取性能提升 18%,写入功耗效率增加 23%,在低功耗至关重要的 AI 数据中心具备更强竞争力。
报道还提到,三星在今年 2 月发布了超过 400 层的 V10 级 1Tb TLC NAND,但尚未公布商用时间表。日本铠侠(Kioxia)则在 2025 年初展示了 V10 级 332 层 NAND,但同样尚未进入量产阶段。
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